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杜晓晴

发布时间:2018-01-06 阅读量:

个人简介:

杜晓晴,1978年7月出生,籍贯四川,现任bat365教师,副教授,硕士生导师。1996/9-2000/7,就读于南京理工大学,获光电子技术专业学士学位;2000/9-2005/6,就读于南京理工大学,获光学工程博士学位;2005/7-至今,在bat365工作,担任教师职务,主要从事半导体光电子材料与器件的教学和科研工作,2007年聘为副教授。现担任电子本科专业课程《半导体器件与测试技术》、研究生专业选修课程《半导体器件物理》的主讲教师,《Chinese Physics B》、《光子学报》、《陕西理工学院学报(自然科学版)》期刊的审稿专家。

研究方向:

主要从事高性能光电探测器件(光电阴极、光子探测器、射线探测器)和电致发光器件(LED、OLED)的机理、特性、结构设计与器件制备研究。

研究成果:

承担并完成国家及重庆市自然科学基金项目3项,负责中央高校科研基本业务费项目2项;参与国家及省部级项目多项。以第一作者或通讯作者发表SCI和EI收录学术论文40余篇,获得授权发明专利5项;获得教育部科学技术发明奖二等奖(排名第6)、三等奖(排名第5)各1项。已培养硕士研究生10名,协助指导博士研究生3名。学术方向和成果主要包括:

①基于柔性电极的聚合物发光二极管研究(F-PLED)。所在项目组进行了银纳米线、银纳米线和石墨烯复合柔性电极的研究,并基于石墨烯与银纳米线复合电极开发聚合物有机电致发光器件,最大电流效率达到8.89cd/A。

② GaAs基、GaN基高性能探测材料与器件研究。采用变掺杂和组分渐变缓冲层设计阴极材料,成功制备出最高量子效率50%的GaAs透射式光电阴极和最高量子效率30%的GaN透射式紫外光电阴极。对GaAs、GaN、AlGaN/GaN材料的光谱响应特性、界面特性、载流子传输特性进行了较为深入的研究。

未来的研究方向:基于银纳米线复合电极的F-PLED的高电致发光效率以及稳定性研究;F-PLED的电流注入特性与调控方法研究;GaAs基、GaN基单光子探测器研究;辐射探测器及探测技术研究。

联系方式:

办公电话:023-65103126

邮箱:duxq@cqu.edu.cn